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廣電計(jì)量配備專業(yè)的檢測(cè)設(shè)備，提供可靠的氣體分析檢測(cè)-氣體成分質(zhì)譜/色譜定量測(cè)試服務(wù)。
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廣電計(jì)量TOF-SIMS原位電化學(xué)表征測(cè)試。TOF-SIMS（Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry）技術(shù)是一種高分辨率表面成分分析的方法。它通過(guò)...
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二次離子質(zhì)譜（SIMS） 是一種具有超高靈敏度和分辨率的固體表面分析技術(shù)。它幾乎能夠分析任何真空下穩(wěn)定的固體，從H到U的全元素及同位素分析，檢出限達(dá)到ppm~ppb級(jí)別。廣電計(jì)量SIMS測(cè)試-二次離子...
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復(fù)合材料熱膨脹系數(shù)測(cè)試 復(fù)合材料的熱膨脹系數(shù)（CTE）是衡量其在溫度變化下尺寸穩(wěn)定性的關(guān)鍵參數(shù)，直接影響材料在航空航天、電子封裝、精密儀器等領(lǐng)域的應(yīng)用性能。廣電計(jì)量針對(duì)材料類測(cè)試，提供專業(yè)可靠的熱膨脹...
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納米壓痕測(cè)試技術(shù)是一種非破壞性的測(cè)試方法,不會(huì)對(duì)材料造成明顯的損傷或破壞,因此可以在材料制備和加工過(guò)程中進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)和評(píng)估。廣電計(jì)量提供一站式納米壓痕測(cè)試-材料非破壞性測(cè)試服務(wù)。
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同步輻射XRD檢測(cè)-原位晶體結(jié)構(gòu)演變分析。同步輻射XRD能夠精確測(cè)定晶體的晶格參數(shù)、晶體對(duì)稱性以及原子在晶格中的具體位置。通過(guò)對(duì)衍射數(shù)據(jù)的解析，可以獲得材料的晶體結(jié)構(gòu)，為理解其物理和化學(xué)性質(zhì)提供基礎(chǔ)信...
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原位紅外測(cè)試是一種利用紅外光譜技術(shù)對(duì)材料在特定條件下進(jìn)行測(cè)試的方法，通過(guò)對(duì)樣品表面或內(nèi)部分子振動(dòng)模式的分析，獲取有關(guān)材料組成、結(jié)構(gòu)和性能的信息。廣電計(jì)量配備專業(yè)的檢測(cè)設(shè)備，提供原位紅外測(cè)試-原位透射紅...
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廣電計(jì)量材料檢測(cè)中心提供專業(yè)第三方材料成分分析檢測(cè)服務(wù)，涵蓋各類材料分析檢測(cè)檢測(cè)能力，對(duì)于XRD檢測(cè)-材料物相組成與結(jié)構(gòu)分析服務(wù)，配備進(jìn)口精密儀器設(shè)備，保障數(shù)據(jù)的精準(zhǔn)可靠。
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TPD化學(xué)吸附測(cè)試-表面吸附位強(qiáng)度分布分析。廣電計(jì)量材料檢測(cè)中心提供專業(yè)第三方材料成分分析檢測(cè)服務(wù)，涵蓋各類材料分析檢測(cè)檢測(cè)能力，配備進(jìn)口精密儀器設(shè)備。
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